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介绍：硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延是在硅衬底上生长氮化镓薄膜的技术，结合了GaN的高性能和硅衬底的低成本优势。
应用：用于高效电源转换器、电动汽车和工业电机驱动的功率电子器件；适用于5G基站、雷达和卫星通信等射频器件；用于高亮度LED，提升发光效率等。
硅基氮化镓外延衬底Tempalte（2~8inch）
衬底直径
50.8mm
100mm
150mm
200mm
硅衬底厚度
1000μm
1150μm
硅衬底表面
Polished/Etched
硅衬底晶向
P(111)
外延导电类型
N-type
P-type
UID
外延掺杂元素
Si-doping
Mg-doping
Undoped
外延层厚度
＜5 um
外延层厚度均匀性
≤5%
外延层表面
RMS＜2nm
外延结构图
