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  • SiC衬底粗糙度与亚表面损伤耦合研究——衬底抛光品质精准管控方案
    SiC衬底粗糙度与亚表面损伤耦合研究——衬底抛光品质精准管控方案
    SiC衬底粗糙度与亚表面损伤耦合研究——衬底抛光品质精准管控方案 碳化硅衬底的表面平整度与晶格完整性，是决定高端功率器件性能的核心基材指标。当前800V高压新能源车、AI算力数据中心、高压光伏储能等领域，对SiC器件能效、耐压、稳定性要求持续升级，而衬底表面纳米级粗糙度、抛光残余划痕、亚表面晶格畸变
    2026-08-03
  • 6H-SiC衬底极性润湿特性研究——衬底表面状态快速质控技术解析
    6H-SiC衬底极性润湿特性研究——衬底表面状态快速质控技术解析
    6H-SiC衬底极性润湿特性研究——衬底表面状态快速质控技术解析 作为第三代半导体产业的核心基石，碳化硅（SiC）衬底是新能源汽车高压平台、光伏储能逆变器、AI算力服务器电源等高端器件的核心基材，直接决定终端产品的耐压性能、能效损耗与使用寿命。在SiC功率器件成本结构中，衬底占比高达40%–47%，
    2026-08-03
  • SAB工艺升级：碳化硅大尺寸、低成本、量产级衬底制备核心方案
    SAB工艺升级：碳化硅大尺寸、低成本、量产级衬底制备核心方案
    SAB工艺升级：碳化硅大尺寸、低成本、量产级衬底制备核心方案 经典SAB工艺解决了碳化硅衬底键合的热损伤核心痛点，而随着第三代半导体产业爆发，4英寸、6英寸碳化硅衬底成为市场主流，8英寸衬底逐步导入研发量产。行业基于经典SAB底层逻辑，针对碳化硅衬底量产尺寸、界面性能、制造成本、异质集成四大核心需求
    2026-07-30
  • 碳化硅衬底低温键合的奠基性工艺-改性SAB法
    碳化硅衬底低温键合的奠基性工艺-改性SAB法
    碳化硅衬底低温键合的奠基性工艺-改性SAB法 碳化硅衬底是第三代半导体功率器件、射频器件的核心基材，衬底的平整度、晶格完整性、界面应力、结合稳定性直接决定器件良率与使用寿命。某大学发布的改性SAB（表面活化键合）技术，针对性解决了碳化硅衬底传统键合高温损伤、衬底形变、界面劣化等行业难题，成为高品质S
    2026-07-30
  • 熔石英衬底晶片亚表面缺陷全解析｜原理、图示、优劣对比
    熔石英衬底晶片亚表面缺陷全解析｜原理、图示、优劣对比
    熔石英衬底晶片亚表面缺陷全解析｜原理、图示、优劣对比 一、破坏性检测——石英晶片无损检测标定基准 破坏性检测通过物理抛削、化学腐蚀剥离石英衬底晶片表层，完整暴露晶片亚表面损伤层（SSD），可直观观测晶片内部微裂纹形貌、精准量化损伤深度、统计晶片全域缺陷密度，定量测试数
    2026-07-23
  • 熔石英亚表面缺陷是什么？光学元件加工损伤形成机理全解析
    熔石英亚表面缺陷是什么？光学元件加工损伤形成机理全解析
    熔石英亚表面缺陷是什么？光学元件加工损伤形成机理全解析 一、藏在光学元件表层下的隐形性能杀手 熔石英凭借极低热膨胀系数、高紫外-红外透光率、优异化学惰性与光学均匀性，是惯性约束核聚变、天文观测、军用高能激光、半导体光刻设备的核心光学基材。全球代表性装置——美国NIF国家点火装置、法国LM兆焦激光、我
    2026-07-23
  • 突破325GHz毫米波表征技术瓶颈：基于mTRL共面波导的熔融石英晶圆级精准测试方案全解析
    突破325GHz毫米波表征技术瓶颈：基于mTRL共面波导的熔融石英晶圆级精准测试方案全解析
    突破325GHz毫米波表征技术瓶颈：基于mTRL共面波导的熔融石英晶圆级精准测试方案全解析 一、前言 衬底复介电常数的精准表征，是毫米波射频器件研发、仿真建模、性能优化的前置核心环节，测试数据的准确性、场景适配性直接决定芯片设计成功率与产品性能上限。目前行业主流的两类
    2026-07-13
  • 熔融石英成为6G毫米波芯片核心衬底新选择
    熔融石英成为6G毫米波芯片核心衬底新选择
    熔融石英成为6G毫米波芯片核心衬底新选择 随着6G通信、车载毫米波雷达、短距高速无线互联、太赫兹检测设备产业化进程加速，射频工作频段持续向100~325GHz亚毫米波高频区间延伸。传统半导体衬底材料的高频缺陷持续凸显：硅衬底介电常数偏高、高频介质损耗大、寄生耦合效应严重，极易造成毫米波信号衰减、信噪
    2026-07-13
  • 蓝宝石原位构筑MoS₂/石墨烯异质结 ——面向先进芯片铜互连的超薄扩散阻挡层解决方案
    蓝宝石原位构筑MoS₂/石墨烯异质结 ——面向先进芯片铜互连的超薄扩散阻挡层解决方案
    蓝宝石原位构筑MoS₂/石墨烯异质结 ——面向先进芯片铜互连的超薄扩散阻挡层解决方案 随着半导体芯片制程进入7nm、3nm及以下先进节点，后端铜互连工艺面临严峻的尺寸微缩瓶颈。
    2026-07-07
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