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蓝宝石(α-Al₂O₃)作为一种重要的单晶材料,凭借其高硬度、良好的化学稳定性、优异的光学性能以及较高的热导率等特性,在众多领域得到了广泛应用。在材料生长与器件制备过程中,蓝宝石衬底的斜切偏角度是一个关键参数,对材料的外延生长、晶体质量以及器件性能都有着显著影响。深入了解蓝宝石斜切偏角度的相关知识,对于优化材料与器件性能、推动相关领域的技术发展具有重要意义。

一、蓝宝石的晶体结构基础

蓝宝石具有六方晶系结构,其空间群为 R - 3c。在蓝宝石晶体中,存在着多个重要的晶轴,其中 C 轴(<0001> 方向)是其对称轴,此外还有 M 轴(<10 - 10 > 方向)和 A 轴(<11 - 20 > 方向)等。这些晶轴的存在决定了蓝宝石晶体在不同方向上的物理性质存在差异,而斜切偏角度正是基于这些晶轴来定义的。

二、斜切偏角度的定义

蓝宝石衬底的斜切偏角度通常用两个角度来描述:α_M 和 α_A。α_M 指代衬底 (0001) 面与 M 轴(<10 - 10>)的夹角,α_A 指代衬底 (0001) 面与 A 轴(<11 - 20>)的夹角。例如,市场上供应的用于氮化镓生长的 C - sapphire 晶片,常见的斜切角为 α_M≈0.2°,α_A≈0°,这种特定的斜切角会导致衬底表面产生沿 < 11 - 20 > 方向的表面台阶。

三、斜切偏角度的表示方法

在实际应用中,斜切偏角度会明确标注在蓝宝石衬底的产品规格中,如 C/A 斜切(表示与 C 轴和 A 轴相关的斜切)会给出具体的斜切角度数值,常见的有 0 度、0.5 度、1 度、2 度、4 度、6 度、8 度、10 度等;C/M 斜切(与 C 轴和 M 轴相关)也会有相应的角度规格,如 0 度、0.5 度、1 度、2 度、4 度、6 度等。这种明确的表示方法方便使用者根据不同的应用需求选择合适斜切角度的蓝宝石衬底。

四、斜切偏角度的应用

1.发光二极管(LED)- 核心应用:

  • 目标:生产高亮度、高效率的蓝光、绿光和白光LED。

  • 作用:在c面蓝宝石衬底上生长GaN基LED结构(量子阱)。合适的偏角度(如向m面偏离0.2°-0.5°)是业界标准工艺,对提升InGaN量子阱的均匀性、减少压电极化效应、降低缺陷密度至关重要,直接决定了LED的光效和寿命。

2.激光二极管(LD):

  • 目标:制造用于蓝光DVD/Blu-ray、激光投影、通信等的高性能激光器。

  • 作用:对晶体质量和缺陷密度的要求比LED更高。精确的偏角度是实现高质量GaN基激光器外延层(特别是低阈值电流所需的高质量量子阱和有源区)的基础保障。

3.氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT):

  • 目标:制造用于高频、高功率应用的电子器件(如5G基站、快充、电动汽车)。

  • 作用:在蓝宝石(或其他衬底如SiC/Si)上外延生长AlGaN/GaN异质结构。

  • 合适的偏角度有助于:

(1)提高GaN沟道层的晶体质量,获得更高的电子迁移率。

(2)改善AlGaN势垒层的均匀性,优化二维电子气(2DEG)的性能和稳定性。

(3)降低器件中的电流崩塌效应。

4.光学窗口与基板:

  • 目标:利用蓝宝石的高硬度、耐腐蚀和高红外透过率,制造用于恶劣环境(如军事、航空航天、医疗、工业传感)的视窗、保护盖片、传感器基板。

  • 作用:特定方向的偏角度可以:

(1)最小化双折射影响: 蓝宝石是双折射晶体(光线沿不同偏振方向传播速度不同)。精心选择切割方向(如a-cut, r-cut)并结合特定的偏 角设计,可以优化光学性能,使窗口在特定光路中呈现接近单轴晶体的性质或最小化双折射对成像/偏振敏感应用的影响。

(2)优化机械加工性能:某些方向的切割和偏角可能更利于后续的研磨和抛光。

5.其他半导体器件:

  • 声表面波(SAW)器件: 蓝宝石可作为高性能SAW器件的压电层(如ZnO)的衬底。偏角度影响声表面波的传播特性(速度、耦合系数、温度稳定性)。

  • 超导器件: 用作某些高温超导薄膜(如YBCO)的基板,偏角度影响薄膜的外延取向和性能。

五、斜切偏角度的选择与挑战

  • 并非越大越好: 角度过大会导致台阶密度过高,平台宽度过窄,反而可能引入其他缺陷(如台阶聚集),并可能影响外延层的表面粗糙度。

  • 方向至关重要: 偏离的方向(如向a面、m面或介于两者之间)对晶体的对称性、台阶结构以及外延层的应力状态有显著影响。不同应用和外延材料体系需要不同的偏离方向。

  • 精度要求极高: 角度偏差通常需要控制在±0.05°甚至更严的范围内。高精度的切割、研磨和抛光设备及工艺是保证角度一致性的关键。

  • 表征难度: 精确测量微小的斜切偏角度需要专业的设备,如高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)或激光反射仪。

六、结论

蓝宝石晶圆的斜切偏角度,这个看似微小的参数,实则是连接蓝宝石优异本征性能与高端应用落地的核心桥梁。它巧妙地利用了晶体的各向异性,通过诱导“台阶流生长”模式,从根本上解决了高质量异质外延的难题,为高性能LED、激光器、功率电子器件的制造铺平了道路。同时,在光学窗口领域,它又是优化光学性能、克服双折射限制的关键设计变量。随着半导体和光学技术的持续发展,对蓝宝石斜切偏角度的理解和精密控制将变得愈发重要。它不仅仅是一个制造参数,更是现代光电产业实现高性能、高可靠性的基石技术之一。未来,围绕特定应用优化偏角度、开发更高精度的控制与检测技术,仍是重要的研究方向。

 

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