在全球半导体产业的激烈角逐中，一则喜讯传来，为中国半导体领域注入了一剂强心针。近日，第 31 届半导体年度奖（Semiconductor of the Year 2025）颁奖典礼于日本东京盛大举行，山东天岳先进科技股份有限公司凭借在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的 “半导体电子材料” 类金奖。这一成就不仅是天岳先进的高光时刻，更是中国半导体产业发展的重要里程碑。
半导体年度奖由日本最具公信力的半导体产业专业媒体《电子器件产业新闻》主办，该奖项以严苛的评选标准和极高的行业权威性著称，旨在从全球范围内表彰在设备、器件及材料三大领域的杰出技术创新。过往的获奖名单中，英伟达、索尼、美光等国际产业巨头，以及东芝、住友电工、昭和电工等日企频频上榜。此次天岳先进作为 31 年来首家获此殊荣的中国企业，成功跻身全球顶尖公司行列，标志着中国半导体产业的整体实力实现了质的飞跃，在国际舞台上赢得了广泛认可。
-csvs.jpeg)
碳化硅作为第三代半导体的基石，其衬底材料的品质与制备技术直接决定了整个产业链的性能、成本和下游应用的普及度，是支撑新能源汽车、特高压输电、5G/6G 通信、数据中心等战略新兴产业发展的根本所在。长期以来，高品质、大尺寸碳化硅衬底的制备技术壁垒极高，成为国际竞争的焦点。天岳先进长期深耕衬底材料研发，通过技术攻坚与产业化推进，成功实现了从技术追赶到国际并跑再到关键领域引领的跨越。在材料晶体生长、缺陷控制、加工工艺等核心环节，天岳先进取得了一系列突破性进展，不仅攻克了大尺寸化等世界级难题，更在材料性能上达到了国际领先水平，成为全球半导体材料领域的创新标杆。
天岳先进的成功并非偶然。自 2010 年成立以来，公司始终专注于碳化硅衬底材料的研发与生产。多年来，天岳先进相继突破 4 英寸、6 英寸碳化硅衬底的大规模生产，并于 2023 年宣布具备 8 英寸碳化硅衬底的量产能力。2024 年，公司更是推出业内首款 12 英寸碳化硅衬底，不断引领行业技术发展。据国际权威媒体报告显示，2024 年天岳先进全球碳化硅衬底的市场占有率达 22.8%，位居国际第一梯队。其衬底质量水平国际领先，微管缺陷稳定为 0，位错缺陷每平方厘米仅几个到几十个，明显优于同行业。凭借可靠的质量，天岳先进的碳化硅衬底不仅供应国内厂商，还远销德国博世、英飞凌等世界知名公司。
当前，全球碳化硅产业格局正经历深刻调整。随着第三代半导体在 “双碳” 战略与数字经济浪潮中迎来爆发式增长，碳化硅市场需求持续攀升。天岳先进凭借在衬底材料技术上的深厚积累、持续突破与先发优势，展现出强劲的发展势头。此次荣获半导体年度奖金奖，不仅是天岳先进发展历程中的重要里程碑，更是中国半导体材料产业自主创新道路上的一个缩影。天岳先进的发展历程，有力证明了中国企业在突破半导体关键核心技术领域所具备的创新能力。
展望未来，天岳先进有关负责人表示，将以此次金奖为新起点，加速构建覆盖研发、量产到应用的全球核心竞争力。公司计划持续加大研发投入，进一步提升碳化硅衬底材料的性能与质量，不断拓展产品应用领域。同时，天岳先进还将积极推进产能扩张，满足市场日益增长的需求。在国内，公司将与上下游企业加强合作，共同推动中国半导体产业的协同发展；在国际上，天岳先进将继续加强与全球知名企业的合作与交流，提升中国半导体材料在国际市场的影响力。
山东天岳先进荣获半导体国际金奖，标志着中国在半导体关键基础材料领域实现了历史性的重大突破，彰显了中国新一代半导体材料技术的国际领先地位。这一成就不仅为天岳先进的发展注入了强大动力，也为中国半导体产业的崛起带来了新的机遇。相信在天岳先进等企业的引领下，中国半导体产业将在全球舞台上绽放更加耀眼的光芒，为推动全球科技进步做出更大贡献。让我们共同期待中国半导体产业的明天会更加美好！
