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  • 蓝宝石衬底直接循环CVD制备分层石墨烯——衬底如何决定二维薄膜生长质量与器件性能
    蓝宝石衬底直接循环CVD制备分层石墨烯——衬底如何决定二维薄膜生长质量与器件性能
    蓝宝石衬底直接循环CVD制备分层石墨烯——衬底如何决定二维薄膜生长质量与器件性能 石墨烯主流制备方案为铜箔CVD生长结合湿法转移工艺，该技术成熟但存在天然短板，转移过程极易引入褶皱、孔洞、界面污染等缺陷，严重损耗石墨烯本征优异的电学性能。同时，金属铜基底化学活性较高，无法兼容MoS₂、WS₂等二维材
    2026-07-07
  • 氧化镓单晶衬底｜DFT理论揭秘磷掺杂导电机理，高端高压功率器件核心基底
    氧化镓单晶衬底｜DFT理论揭秘磷掺杂导电机理，高端高压功率器件核心基底
    氧化镓单晶衬底｜DFT理论揭秘磷掺杂导电机理，高端高压功率器件核心基底 一、产品定位：氧化镓单晶衬底，超宽禁带高端器件核心载体 相较于蓝宝石异质外延路线，我司自主研发EFG导模法β-Ga₂O₃单晶衬底
    2026-06-30
  • 蓝宝石衬底｜MOCVD异质外延β-Ga₂O₃实现稳定p型掺杂
    蓝宝石衬底｜MOCVD异质外延β-Ga₂O₃实现稳定p型掺杂
    蓝宝石衬底｜MOCVD异质外延β-Ga₂O₃实现稳定p型掺杂 一、产品核心优势：自研蓝宝石衬底，构建氧化镓低成本外延体系 β-Ga₂O₃作为新一代超宽带隙半导体材料，凭借4.9 eV超宽带隙、8 MV
    2026-06-30
  • 界面能调控机制：基于TSSG技术实现3C-SiC单晶可控生长的核心原理
    界面能调控机制：基于TSSG技术实现3C-SiC单晶可控生长的核心原理
    界面能调控机制：基于TSSG技术实现3C-SiC单晶可控生长的核心原理 多晶型竞争问题长期以来一直制约着高质量3C-SiC单晶的稳定生长。传统物理气相传输法（PVT）仅存在气固界面，界面性质固定，无法有效抑制4H-SiC的优势生长。相比之下，顶部籽晶熔盐法（TSSG）具备可调控的液固界面特性，能够从
    2026-06-23
  • 突破4英寸大尺寸制备！TSSG技术实现高质量3C-SiC单晶稳定生长
    突破4英寸大尺寸制备！TSSG技术实现高质量3C-SiC单晶稳定生长
    突破4英寸大尺寸制备！TSSG技术实现高质量3C-SiC单晶稳定生长 碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，凭借优异的耐高温、高压、高频特性，广泛应用于新能源、功率器件、航空航天等领域。相较于4H-SiC、6H-SiC等常见晶型，3C-SiC具备更高的电子迁移率、更低的缺陷密度与更优异的电学导通
    2026-06-23
  • 熔融石英光学材料的应用与总结
    熔融石英光学材料的应用与总结
    熔融石英光学材料的应用与总结 熔融石英的工业化光学应用最早可追溯至1952年，彼时其首次被用于超声延迟线器件。凭借优异的光学透过性能、结构稳定性、抗激光损伤能力以及可规模化制备的工艺优势，熔融石英现已广泛应用于各类民用光学与高端科研领域，涵盖光学窗口、反射镜、透镜、光纤等核心元器件。熔融石英的典型高
    2026-06-16
  • 熔融石英核心光学性能与激光诱导改性机理深度解析
    熔融石英核心光学性能与激光诱导改性机理深度解析
    熔融石英核心光学性能与激光诱导改性机理深度解析 熔融石英作为高端光学、半导体光刻与高能激光系统的核心基材，其核心价值源于极致的宽谱透光能力、超低散射损耗与优异的激光耐受性能。相较于普通光学玻璃，熔融石英的紫外、近红外光学特性更稳定，且在高能激光长期辐照环境下可实现可控的结构与光学演化。本文将从**光
    2026-06-16
  • 熔融石英的光学特性、制备工艺与微观结构研究综述
    熔融石英的光学特性、制备工艺与微观结构研究综述
    熔融石英的光学特性、制备工艺与微观结构研究综述 1. 引言 熔融石英（SiO₂）凭借优异的综合性能，被公认为综合品质最优的光学玻璃材料之一。其具备覆盖深紫外至红外波段的超宽高透光光谱，同时拥有优异的抗辐射损伤能力、极低的双折射效应、高折射率均匀性，以及良好的化学稳定性与热稳定性。依托可规模化、高性价
    2026-06-16
  • 蓝宝石化学机械抛光氯离子改性机理及浆料优化研究
    蓝宝石化学机械抛光氯离子改性机理及浆料优化研究
    蓝宝石化学机械抛光氯离子改性机理及浆料优化研究 基于前期实验得到的氯化钠改性蓝宝石化学机械抛光最优工艺参数，本文借助热力学模拟、扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）等多种微观表征手段，进一步探究氯离子的内在改性机理。研究结果表明：氯离子可对蓝宝石表面产生温和化学腐蚀，促进可溶性四氯铝
    2026-06-11
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