2025年12月3日，Coherent（NYSE: COHR）宣布推出全新的300 mm碳化硅（SiC）平台，以应对AI驱动的数据中心对更高热效率和功率密度的迫切需求。此次升级标志着公司在宽禁带半导体材料领域迈出关键一步，为全球快速增长的AI基础设施提供更强的性能支撑。
凭借多年在200 mm SiC平台上的深厚积累，Coherent将其成熟的制造技术成功扩展至更大尺寸的300 mm晶圆。新一代导电型SiC基板具备低电阻率、低缺陷密度和更高的材料均匀性，同时提供更优异的热管理能力。这些特性使得器件能够实现更低功耗、更高开关频率和更加稳定的系统性能。
与200 mm相比，300 mm晶圆能够提供更大的可用面积，意味着更多器件数量、更有竞争力的单位成本。然而，行业仍将关注未来6至18个月内的量产指标，如晶圆良率、产能扩张速度及成本下降曲线，以评估其大规模商用化进展。
随着大型AI模型持续扩张，数据中心对散热能力与能源效率的要求迅速提升。Coherent高级副总裁兼总经理 Gary Ruland 指出：
“人工智能正在重新定义数据中心的热管理格局，而碳化硅已成为实现可扩展性能的关键材料。我们的300 mm平台面向大规模量产，将为AI数据中心带来更高的热效率和更快的计算响应。”
新平台可有效提升系统能效比，帮助运营商应对日益增长的功率需求，为下一代高密度计算系统奠定材料基础。
除数据中心外，300 mm碳化硅技术也将推动多个高增长行业的创新：
高均质、低缺陷的SiC材料能使光波导更薄、更稳定，为下一代AR眼镜与VR头显提供更高光效与可靠性。
在电动汽车、可再生能源系统与工业驱动等场景中，300 mm SiC晶圆可容纳更多功率器件，从而进一步降低成本并提升系统效率。
300 mm平台的发布，再次巩固了Coherent在宽禁带半导体领域的行业领先优势。该平台不仅满足AI数据中心的迫切需求，也将推动光电、显示、功率电子等多行业的技术进步与产业升级。
晶沐光电
晶沐光电长期专注于碳化硅材料研发及量产能力建设，可稳定供应 2–12 英寸碳化硅衬底，覆盖：
导电型（N 型/P 型）
半绝缘型（SI 型）
厚度、尺寸及参数均可依客户需求定制
可提供多种特殊晶型，包括 3C-SiC、6H-SiC 等
我们致力于为国内外功率器件、射频器件、光电应用及科研机构提供高品质 SiC 材料解决方案，欢迎洽询合作。
