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九峰山实验室发布GaN电源模块重大突破:AI算力中心一年可节省3亿度电

随着全球AI算力需求呈指数级增长,数据中心的用电量正在成为制约行业发展的关键瓶颈。近日,九峰山实验室发布其最新技术成果——新一代氮化镓(GaN)电源模块,在能效与成本两个维度同时实现突破,有望显著降低超大型AI算力中心的整体能源消耗。

AI算力中心的能耗挑战:以“电”换“算”时代来临

一个容量达到 1 吉瓦(10 亿瓦)的 AI 算力中心,一年的用电量可高达 87.6 亿度,与一座大型核电站满功率发电量相当。
在整套能耗结构中,负责将高压电转换为处理器(XPU)所需低压电的电源模块是耗电大户,年耗电量接近 10 亿度,占总能耗的 11%。

全球数据中心能耗正持续攀升:

国际能源署(IEA)预测:到 2030 年,全球数据中心用电需求将翻倍至 945 TWh/年。

NVIDIA 与 OpenAI 已宣布共建全球首个 10 吉瓦级 AI 数据中心,进一步推高了行业对高效电源技术的需求。

由此可见,电源模块技术的升级已成为未来算力基础设施节能的关键。

 

GaN 电源模块:体积减少 30%,能耗降低 30%

九峰山实验室发布的最新 GaN 电源模块采用硅基氮化镓芯片替代传统硅芯片,在能效、体积与成本上实现多重提升:

功率损耗降低约 30%

模块体积缩小约 30%

芯片成本有望降至硅的一半

按 100 万个 GaN 电源模块计算,可装入一座 1 吉瓦 AI 算力中心机柜, 一年节省近 3 亿度电,相当于 2.4 亿元电费。对于动辄集群化部署的算力基础设施而言,其经济效益和节能价值都极具吸引力。

从材料到封装的完整产业链突破

氮化镓属于第三代半导体材料,加工流程复杂、工艺精度要求极高。为抢占未来产业制高点,九峰山实验室今年组建跨学科团队,攻克了产业链各关键环节,包括:

GaN 材料外延生长

器件制造

异质集成

功率模块封装

历时数百次迭代实验,研发团队成功建立了氮化镓电源模块的“材料—器件—封装”全链条能力,完成概念验证,预计将在 3–5 年内实现量产。

目前,团队已与多家国内头部数据中心电源厂商展开合作,商业订单金额累计超过 1000 万元。

资本加速涌入,GaN 产业迎来爆发窗口

在第三届全国博士后创新创业大赛上,九峰山实验室的 GaN 电源模块项目获得新能源与节能环保赛道 全国第 7 名(铜奖),并受到众多投资机构关注。

依托光谷国资平台,九峰山实验室已推动 8 家化合物半导体相关企业落地,并有更多关键技术成果正加速从研发走向产业化。

面向千亿级市场的下一代电源技术

随着 AI 模型规模持续扩张,对计算、能源和散热的需求同步提升。第三代半导体材料如 氮化镓(GaN)、氧化镓、金刚石、氮化铝等,将成为算力时代的重要底层支撑技术。

九峰山实验室发布的 GaN 电源模块成果,标志着我国在高效能电源技术领域迈出了关键一步。未来,随着中试和量产推进,GaN 电源模块有望广泛应用于:

大规模 AI/超级计算中心

云计算数据中心

新能源与储能系统

高密度服务器与通信设备

九峰山实验室表示,将继续推进 GaN 技术的工程化与产业化进程,为全国乃至全球的大规模智算中心提供高效、低损耗的电能转换解决方案。

与此同时,作为行业内的重要材料供应商,晶沐光电也在积极布局第三代半导体材料领域,现已具备稳定供应 氮化镓(GaN)、氧化镓、金刚石、氮化铝 等关键材料的能力,可广泛应用于功率器件、光电器件、高频通信及高功率散热等场景。晶沐光电将持续为相关科研机构、器件厂商与产业链合作伙伴提供高品质材料支持,与行业共同推动下一代高性能功率电子技术的加速落地。

 

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