成为一个前沿创新、高精度、全周期专业的半导体晶圆材料加工与技术服务供应商
To be a globally leading semiconductor wafer material processing and technology service provider
查看更多
优质、定制、创新、发展
High quality、customized、innovative and advancement.
查看更多

始终关注客户需求，为客户
企业和员工的共同发展而努力
Always pay attention to customer needs and strive for the common development of customers, enterprises, and employees
查看更多

关于我们
产品中心
技术服务
资讯中心
联系我们
资讯中心
NEWS
资讯中心
资讯中心
  • SiC衬底加工痛点：硬且化学惰性，大气等离子体非接触加工带来新解法
    SiC衬底加工痛点：硬且化学惰性，大气等离子体非接触加工带来新解法
    SiC衬底加工痛点：硬且化学惰性，大气等离子体非接触加工带来新解法 一、碳化硅衬底产业化核心价值与加工瓶颈 在第三代半导体产业高速迭代的背景下，碳化硅（SiC）凭借远超硅基、砷化镓材料的物理化学特性，成为高压功率半导体、射频器件、新能源电力电子设备的核心衬底材料。其具备超宽禁带宽度、超高热导率、高击
    2026-08-26
  • 3C-SiC 薄膜异质界面热边界导率 功率器件散热瓶颈解决方案
    3C-SiC 薄膜异质界面热边界导率 功率器件散热瓶颈解决方案
    3C-SiC 薄膜异质界面热边界导率 功率器件散热瓶颈解决方案 一、前言：界面热阻，功
    2026-08-18
  • 3C-SiC 碳化硅热导率突破 500W/(m・K) 功率器件衬底材料优势解析
    3C-SiC 碳化硅热导率突破 500W/(m・K) 功率器件衬底材料优势解析
    3C-SiC 碳化硅热导率突破 500W/(m・K) 功率器件衬底材料优势解析 一、前言：高功率器件散热，行业核心痛点
    2026-08-18
  • SiC衬底粗糙度与亚表面损伤耦合研究——衬底抛光品质精准管控方案
    SiC衬底粗糙度与亚表面损伤耦合研究——衬底抛光品质精准管控方案
    SiC衬底粗糙度与亚表面损伤耦合研究——衬底抛光品质精准管控方案 碳化硅衬底的表面平整度与晶格完整性，是决定高端功率器件性能的核心基材指标。当前800V高压新能源车、AI算力数据中心、高压光伏储能等领域，对SiC器件能效、耐压、稳定性要求持续升级，而衬底表面纳米级粗糙度、抛光残余划痕、亚表面晶格畸变
    2026-08-03
  • 6H-SiC衬底极性润湿特性研究——衬底表面状态快速质控技术解析
    6H-SiC衬底极性润湿特性研究——衬底表面状态快速质控技术解析
    6H-SiC衬底极性润湿特性研究——衬底表面状态快速质控技术解析 作为第三代半导体产业的核心基石，碳化硅（SiC）衬底是新能源汽车高压平台、光伏储能逆变器、AI算力服务器电源等高端器件的核心基材，直接决定终端产品的耐压性能、能效损耗与使用寿命。在SiC功率器件成本结构中，衬底占比高达40%–47%，
    2026-08-03
  • SAB工艺升级：碳化硅大尺寸、低成本、量产级衬底制备核心方案
    SAB工艺升级：碳化硅大尺寸、低成本、量产级衬底制备核心方案
    SAB工艺升级：碳化硅大尺寸、低成本、量产级衬底制备核心方案 经典SAB工艺解决了碳化硅衬底键合的热损伤核心痛点，而随着第三代半导体产业爆发，4英寸、6英寸碳化硅衬底成为市场主流，8英寸衬底逐步导入研发量产。行业基于经典SAB底层逻辑，针对碳化硅衬底量产尺寸、界面性能、制造成本、异质集成四大核心需求
    2026-07-30
  • 碳化硅衬底低温键合的奠基性工艺-改性SAB法
    碳化硅衬底低温键合的奠基性工艺-改性SAB法
    碳化硅衬底低温键合的奠基性工艺-改性SAB法 碳化硅衬底是第三代半导体功率器件、射频器件的核心基材，衬底的平整度、晶格完整性、界面应力、结合稳定性直接决定器件良率与使用寿命。某大学发布的改性SAB（表面活化键合）技术，针对性解决了碳化硅衬底传统键合高温损伤、衬底形变、界面劣化等行业难题，成为高品质S
    2026-07-30
  • 熔石英衬底晶片亚表面缺陷全解析｜原理、图示、优劣对比
    熔石英衬底晶片亚表面缺陷全解析｜原理、图示、优劣对比
    熔石英衬底晶片亚表面缺陷全解析｜原理、图示、优劣对比 一、破坏性检测——石英晶片无损检测标定基准 破坏性检测通过物理抛削、化学腐蚀剥离石英衬底晶片表层，完整暴露晶片亚表面损伤层（SSD），可直观观测晶片内部微裂纹形貌、精准量化损伤深度、统计晶片全域缺陷密度，定量测试数
    2026-07-23
  • 熔石英亚表面缺陷是什么？光学元件加工损伤形成机理全解析
    熔石英亚表面缺陷是什么？光学元件加工损伤形成机理全解析
    熔石英亚表面缺陷是什么？光学元件加工损伤形成机理全解析 一、藏在光学元件表层下的隐形性能杀手 熔石英凭借极低热膨胀系数、高紫外-红外透光率、优异化学惰性与光学均匀性，是惯性约束核聚变、天文观测、军用高能激光、半导体光刻设备的核心光学基材。全球代表性装置——美国NIF国家点火装置、法国LM兆焦激光、我
    2026-07-23
2 / 17
Company
Spirit
追求卓越，挑战极限
Pursuing Excellence and
Challenging the Limits
0510-86886380
江苏省江阴市港城大道988号
苏ICP备2025158452号-1  苏公网安备32028102002659号
联系我们
contact us
0510-86886380
江苏省江阴市港城大道988号
苏ICP备2025158452号-1  苏公网安备32028102002659号