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氯离子掺杂浆料对a面、c面蓝宝石化学机械抛光性能的实验研究
氯离子掺杂浆料对a面、c面蓝宝石化学机械抛光性能的实验研究 单晶α-Al₂O₃(蓝宝石)凭借优异的力学性能、光学透过性、化学稳定性及介电特性,广泛应用于固体激光器、半导体芯片、氮化镓基发光二极管等高端光电领域。蓝宝石基底的表面平整度与原子级超光滑平面质量,是保障半导体器件光电性能与长期可靠性的核心前
2026-06-11
图形化蓝宝石衬底(PSS)为何能大幅提升LED性能?
图形化蓝宝石衬底(PSS)为何能大幅提升LED性能? 如今,III族氮化物LED已成为固态照明、显示背光、紫外光电器件的核心元器件。但传统平面蓝宝石衬底(FSS)制备的LED,普遍存在发光效率低、晶体质量差、器件损耗大等问题,严重制约了产品性能与使用寿命。图形化蓝宝石衬底(PSS)作为一项成熟且高效
2026-06-05
图形化蓝宝石衬底微纳制备工艺及图案转移技术研究进展
图形化蓝宝石衬底微纳制备工艺及图案转移技术研究进展 作为提升III族氮化物发光二极管(LED)光电性能的核心基底材料,图形化蓝宝石衬底(PSS)可有效降低GaN外延层的位错密度(TDD)、优化晶体生长质量,同时大幅提升器件光提取效率(LEE)与光输出功率(LOP),是高性能LED产业化与技术迭代的关
2026-06-05
碳化硅(SiC)晶圆材料去除机制研究:从微观损伤到原子级去除机理
碳化硅(SiC)晶圆材料去除机制研究:从微观损伤到原子级去除机理
2026-05-28
超精密加工如何突破SiC晶圆“高硬脆”瓶颈?——从传统研磨到原子级制造的技术演进
超精密加工如何突破SiC晶圆“高硬脆”瓶颈?——从传统研磨到原子级制造的技术演进
2026-05-28
4H-SiC晶圆CMP技术的先进优化方法:从化学增强到协同抛光
4H-SiC晶圆CMP技术的先进优化方法:从化学增强到协同抛光 随着第三代半导体产业的高速发展,4H-SiC(4H型碳化硅)晶圆正在新能源汽车、光伏储能、高压变
2026-05-21
4H-SiC晶圆CMP化学机械抛光技术现状与挑战
4H-SiC晶圆CMP化学机械抛光技术现状与挑战 随着新能源汽车、光伏储能、工业电源以及高频高压电子设备的快速发展,4H-SiC(4H型碳化硅)晶圆已成为第三代半导体领域最关键的基础材料之一。
2026-05-21
4H-SiC晶圆的性能与制造工艺:下一代功率半导体核心材料
4H-SiC晶圆的性能与制造工艺:下一代功率半导体核心材料 引言
2026-05-21
选择性外延金刚石NTC热敏电阻研究取得新进展:面向极端环境温度传感的新方向
选择性外延金刚石NTC热敏电阻研究取得新进展:面向极端环境温度传感的新方向
2026-05-15
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