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介绍：锑化镓GaSb晶圆衬底以低禁带宽度、高电子迁移率和优异热稳定性为核心优势，是制备二类超晶格红外焦平面探测器芯片的核心材料。
应用：红外光电探测、高速光通信、高效光伏及高频器件等领域，在夜视、通讯、气象、大 气监测、工业探伤、地球资源探测、测温等行业具有广泛应用前景。
锑化镓GaSb单晶衬底（2~4inch）
直径
50.8mm
76.2mm
100mm
厚度
500μm
600μm
800μm
表面晶向
(100)/(111)/(110)±0.1°
定位边长度
8±1mm
11±1mm
18±1mm
总厚度偏差TTV
<10μm
弯曲度Bow
掺杂元素
N/A
Zn-doping
Te-doping
导电类型
P型
N 型
位错密度(EPD)/c
2inch ＜50
2inch＜1000
2inch＜200；3inch＜500；4inch＜1000；
载流子浓度
＜1*E17/cm3
＞1*E18/cm3
1*E15-2*E17/cm3
（2-20）*E17/cm3
电子迁移率
200~700cm2/v.s
200~500cm2/v.s
2000-3500cm2/v.s
