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介绍：砷化铟InAs晶圆衬底电子迁移率高、磁阻效应低、 电阻温度系数小、窄带隙及优异光电等特性。
应用：适用于高频高速电子器件、红外探测、太赫兹技术和量子计算等领域。
砷化铟InAs单晶衬底（2~4inch）
直径
50.8mm
76.2mm
100mm
厚度
500μm
650μm
900μm
表面晶向
(100)0.1°off toward(110)±0.05°
定位边长度
8±1mm
11±1mm
18±1mm
总厚度偏差TTV
<10μm
弯曲度Bow
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掺杂元素
N/A
S-doping
导电类型
N型
位错密度(EPD)/
2inch＜1000；3inch＜2500；4inch＜4000；
载流子浓度
（1-3）E16/cm3
（4-8）E16/cm3
（1-3）E18/cm3
电子迁移率
＞10000cm2/v.s
15000~25000cm2/v.s
7000-12000cm2/v.s
