成为一个前沿创新、高精度、全周期专业的半导体晶圆材料加工与技术服务供应商
To be a globally leading semiconductor wafer material processing and technology service provider
查看更多
优质、定制、创新、发展
High quality、customized、innovative and advancement.
查看更多

始终关注客户需求，为客户
企业和员工的共同发展而努力
Always pay attention to customer needs and strive for the common development of customers, enterprises, and employees
查看更多

关于我们
产品中心
技术服务
资讯中心
联系我们
资讯中心
NEWS
资讯中心
资讯中心
  • 射频器件选择4H-半绝缘SiC衬底的原因
    射频器件选择4H-半绝缘SiC衬底的原因
    射频器件选择4H-半绝缘SiC衬底的原因 射频器件（如5G/6G基站功放、卫星通信器件、国防雷达等）的核心需求是低损耗、高功率、高频响应及长期可靠性，而4H-半绝缘SiC（碳化硅）衬底凭借其独特的材料特性，完美匹配射频器件的严苛要求，成为行业主流选择，核心原因可分为以下五大维度，兼顾性能、兼容性与经
    2026-04-02
  • 晶沐光电亮相杭州第四代半导体论坛，以“硬核”材料力赋能产业升级
    晶沐光电亮相杭州第四代半导体论坛，以“硬核”材料力赋能产业升级
    晶沐光电亮相杭州第四代半导体论坛，以“硬核”材料力赋能产业升级 春潮涌动启新程，芯光逐梦向未来。3月18日-19日，杭州第四代半导体论坛展会顺利举办，这场汇聚多家单位、聚焦超宽禁带半导体技术突破与产业化的行业盛会，吸引了众多半导体领域专家、企业代表齐聚一堂，共话产业发展新机遇、共探技术创新新路径。江
    2026-03-26
  • 蓝宝石衬底在GaN器件中的优势与不足
    蓝宝石衬底在GaN器件中的优势与不足
    蓝宝石衬底在GaN器件中的优势与不足 氮化镓（GaN）已经成为现代电子和光电器件中的关键半导体材料，广泛应用于功率器件、LED照明、射频器件以及紫外探测器等领域。在GaN外延生长中，蓝宝石（Al₂O₃）衬底是目前最常用的衬底材料之一。凭借稳定的物理特性和成熟的产业基础，蓝宝石在GaN产业中已经被广泛
    2026-03-26
  • 氮化铝单晶衬底在第四代半导体中的优势特性，并且在产业化制备方面制约氮化铝衬底的因素有哪些？
    氮化铝单晶衬底在第四代半导体中的优势特性，并且在产业化制备方面制约氮化铝衬底的因素有哪些？
    氮化铝单晶衬底在第四代半导体中的优势特性，并且在产业化制备方面制约氮化铝衬底的因素有哪些？ 随着半导体产业向极端工况、高频高压、深紫外光电领域迭代，以超宽禁带为核心特征的第四代半导体成为全球科技竞争的核心赛道。氮化铝（AlN）单晶衬底凭借独一无二的材料本征优势，成为支撑深紫外LED、6G太赫兹、航天
    2026-03-20
  • 不同晶向β-Ga₂O₃衬底的制备及科研与市场应用区别分析
    不同晶向β-Ga₂O₃衬底的制备及科研与市场应用区别分析
    不同晶向β-Ga₂O₃衬底的制备及科研与市场应用区别分析 β-Ga₂O₃作为最稳定的Ga₂O₃晶型（加热至高温或达到熔点1800℃时，其他晶型均会转化为β相），具备4.5-4.9eV的超宽禁带、8MV/cm的高临界场强，其Baliga优值显著优于SiC和GaN，是下一代功率电子器件、深紫外探测器的核
    2026-03-17
  • Crystal IS突破100毫米体AIN衬底量产瓶颈，助力半导体产业升级
    Crystal IS突破100毫米体AIN衬底量产瓶颈，助力半导体产业升级
    Crystal IS突破100毫米体AIN衬底量产瓶颈，助力半导体产业升级 里程碑达成：100毫米体AlN衬底量产取得关键突破 近日，全球半导体材料领域传来重要突破—Crystal IS公司宣布，其新建的100毫米体氮化铝（AlN）衬底试点生产线已成功产出第100片100毫米散装AlN晶圆，标志着该
    2026-03-10
  • 薄膜铌酸锂狂飙55%，InP统治时代落幕？光芯片赛道迎“电车式”变革
    薄膜铌酸锂狂飙55%，InP统治时代落幕？光芯片赛道迎“电车式”变革
    薄膜铌酸锂狂飙55%，InP统治时代落幕？光芯片赛道迎“电车式”变革 AI算力集群向1.6T、3.2T高速迭代，光通信产业的底层技术逻辑正被彻底重构。当市场聚焦薄膜铌酸锂（TFLN）55%的爆发式增长时，一个尖锐的问题摆在行业面前：统治光芯片领域二十年的磷化铟（InP），留给它的时间还多吗？ 在旧金
    2026-03-10
  • 主流半导体衬底材料热导率分析及市场应用前景
    主流半导体衬底材料热导率分析及市场应用前景
    主流半导体衬底材料热导率分析及市场应用前景 热导率是半导体衬底材料的核心性能指标，直接决定器件的散热效率、功率密度及工作可靠性，其数值由材料微观结构、晶格有序性及杂质含量等因素共同决定。本文聚焦碳化硅（SiC）、硅（Si）、蓝宝石（Al₂O₃）、氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）五种主流衬底，系统解
    2026-03-02
  • 蓝宝石衬底加工参数对硫化钼薄膜生长的影响分析
    蓝宝石衬底加工参数对硫化钼薄膜生长的影响分析
    蓝宝石衬底加工参数对硫化钼薄膜生长的影响分析 硫化钼（MoS₂）作为典型的二维过渡金属硫族化合物（TMDs），具备优异的半导体特性、光学透明性及机械柔韧性，在柔性电子、光电子器件、量子计算等领域极具应用潜力。蓝宝石（Al₂O₃）因化学稳定性强、热膨胀系数与MoS₂适配性较好、易实现原子级平整表面，成
    2026-03-02
5 / 14
Company
Spirit
追求卓越，挑战极限
Pursuing Excellence and
Challenging the Limits
0510-86886380
江苏省江阴市港城大道988号
苏ICP备2025158452号-1  苏公网安备32028102002659号
联系我们
contact us
0510-86886380
江苏省江阴市港城大道988号
苏ICP备2025158452号-1  苏公网安备32028102002659号