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介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性。
应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等。
碳化硅4H-HPSI高纯半绝缘型单晶衬底（2~6英寸）
直径
50.8mm
76.2mm
100mm
150mm
厚度
500μm
表面晶向
{0001} ± 0.2°
主参考面晶向
<11-20> ± 5.0˚
<1-100>±5°
主参考面长度
16mm
22mm
32.5mm
Notch
次参考面位置
Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚
N/A
次参考面长度
8mm
11mm
18mm
电阻率
≥1E7 Ω·cm
正面状态
Si-Face：CMP,Ra<0.2nm
反面状态
C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm
镭刻码面
Back side：C-Face
总厚度偏差TTV
≤10μm
≤15μm
弯曲度BOW
≤25μm
≤30μm
≤40μm
翘曲度WARP
≤35μm
≤60μm
边缘去除
≤3 mm
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碳化硅单晶 Silicon carbide
晶体结构
六方晶体
禁带宽度(eV)
3.26eV
熔点（℃）
2730℃
莫氏硬度(mohs)
9.2
热导率(W·cm-1·℃-1)
4.9W·cm-1·℃-1
热膨胀系数(℃-1)
4.7×10-6
晶格常数(nm)
a=0.3076 c=0.5048
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1）
720a 650c
击穿电场(MV·cm-1)
3.1
JFM指数（power）
410
BFM指数(SW)
290
BHFM指数(RF)
34
折射率
2.6767～2.6480
