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介绍：砷化镓（GaAs）是一种III-V族化合物半导体，具有直接能隙（1.43 eV）、高电子迁移率和优异的高频特性。其高速、低噪声和抗辐射性能使其成为微波射频、光电子和功率器件的重要材料。
应用：砷广泛用于射频和微波器件，如5G通信芯片、雷达系统和卫星通信设备。它还应用于光电子领域，如激光器、光探测器和高效太阳能电池，适用于高速光通信和航天应用。
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砷化镓单晶衬底晶片（2~8inch ）
直径
50.8mm
76.2mm
100mm
150mm
200mm
厚度
350μm
675μm
表面晶向
(100) 15.0˚± 1.0˚ off toward (111)
<100>±1.0°
主定位边晶向
EJ<0-1-1>±1.0°
主定位边长度
12mm
22mm
32mm
Notch
次定位边晶向
EJ<0-1 1>±1.0°
N/A
次定位边长度
7mm
18mm
正面状态
Epi-polished
反面状态
SSP:Etched; DSP:Epi-polished
总厚度偏差TTV
≤10μm
≤15μm
≤20μm
≤30μm
弯曲度BOW
≤12μm
≤25μm
≤40μm
翘曲度WARP
≤60μm
边缘去除
≤3 mm
应用
LED应用
LD激光应用
半导体,微电子芯片
导电类型
N-Ttpe
Insulating
掺杂元素
Si-doping
Undoped
电阻率
(1~9）E-3ohm-cm
＞1E7ohm-cm
位错密度(EPD)
＜5000/cm2
＜500/cm2
载流子浓度(CC)
(0.4~5）E18/cm3
(0.4~2.5）E18/cm3
电子迁移率(Mobility)
＞1000cm2/v.s
＞1500cm2/v.s
＞4000cm2/v.s
晶体结构
立方晶体
禁带宽度(eV)
1.42eV
熔点（℃）
1238℃
莫氏硬度(mohs)
5.6
热导率(W·cm-1·℃-1)
0.55W·cm-1·℃-1
热膨胀系数(℃-1)
5.8×10-6
晶格常数(nm)
a=0.5652
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1）
8500
击穿电场(MV·cm-1)
4
JFM指数（power）
11
BFM指数(SW)
28
BHFM指数(RF)
16
折射率
3.24~3.33
