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介绍：氮化镓（GaN）是氮和镓的化合物，是一种III和V的直接能隙的半导体。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特。具有高热导率、高击穿电压、高效率，适合高性能电子和光电子应用。
应用：用于高端激光芯片等；应用于激光显示技术，如家庭影院、商业投影、AR/VR设备、车载显示等；用于5G通信基站、卫星通信、雷达系统等高频高功率场景。紫外探测器、高亮度LED、高效率功率转换器、电动汽车充电器等。
⠀产品规格书
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氮化镓单晶衬底（2~4英寸）
直径
50.8 mm
76.2mm
100mm
厚度
400μm
450μm
端面晶向
（0001） ± 0.2°Ga face
斜切角（C偏M）
0.5°C-plane off angle toward M-axis
斜切角（C偏A）
0.0°C-plane off angle toward A-axis
主定位边晶向
M-plane (10-10) ± 2.0˚
主定位边长度
16mm
22mm
32mm
次定位边晶向
Ga face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚
次定位边长度
8mm
11mm
18mm
正面状态
≤ 0.3 nm(10μm ×10μm)
反面状态
Polished; Etched
镭刻码面
Back side：N-Face
总厚度偏差TTV
≤15μm
≤25μm
≤30μm
弯曲度BOW
≤20μm
≤40μm
翘曲度WARP
≤45μm
≤60μm
边缘去除
≤5 mm
电学参数
掺杂元素
电阻率
/
Semi-Insulating (Carbon)
≥1E8 ohm-cm
N-type (Silicon)
≤0.02 ohm-cm
UID（Undoped）
≤0.2 ohm-cm
晶体结构
六方晶体
禁带宽度(eV)
3.45eV
熔点（℃）
2400℃
莫氏硬度(mohs)
9.5
热导率(W·cm-1·℃-1)
1.3W·cm-1·℃-1
热膨胀系数(℃-1)
αa=5.6×10-6αc=3.2×10-6
晶格常数(nm)
a=0.3189c=0.5185
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1）
900
击穿电场(MV·cm-1)
4.9
JFM指数（power）
790
BFM指数(SW)
910
BHFM指数(RF)
100
