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介绍：氮化铝（AlN）是一种高热导率（>200 W/m·K）、宽禁带（~6.2 eV）的半导体材料，具有优异的电绝缘性和耐高温特性。由于其良好的机械和化学稳定性，在高功率电子和光电子领域具有重要应用价值。
应用：氮化铝广泛用于高功率电子器件的封装和散热基板，如SiC和GaN功率半导体的散热管理。它还被用于5G通信的射频滤波器、深紫外LED光源及高温传感器，适用于极端环境应用。
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氮化铝单晶衬底（1~2inch）
直径
25.4 ± 0.3 mm
50.8 ± 0.5 mm
厚度
400 ± 50μm
晶型
2H
表面晶向
(0001) ± 0.5°
主定位边晶向
(10-10) ± 5.0˚
次定位边晶向
Al face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚
正面状态
Al face:≤ 0.5 nm
反面状态
N face:≤ 1.2μm
镭刻码
Back side：N-Face
总厚度偏差TTV
≤25μm
≤30μm
弯曲度BOW
≤35μm
翘曲度WARP
≤40μm
≤45μm
边缘去除
≤5 mm
晶体结构
六方晶体
禁带宽度(eV)
6.2eV
熔点（℃）
3214℃
莫氏硬度(mohs)
9
热导率(W·cm-1·℃-1)
3.4W·cm-1·℃-1
热膨胀系数(℃-1)
αa=4.2×10-6αc=5.3×10-6
晶格常数(nm)
a=0.3112 c=0.4982
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1）
1100
击穿电场(MV·cm-1)
15.4
JFM指数（power）
5120
BFM指数(SW)
31670
BHFM指数(RF)
