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介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性。
应用：激光剥离测试材料，半导体芯片材料的分析与测试，高端光学领域。
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碳化硅晶棒及特殊尺寸规格
型号
4H-N导电型 ∣ 4H-HPSI高纯半绝缘型
类型
晶锭与晶棒
晶片
异形规格
尺寸规格案例1
4英寸*T10mm晶棒
2英寸*T3.0mm厚片
碳化硅圆环方块
尺寸规格案例2
6英寸*T20mm晶棒
2英寸*T0.1mm超薄
碳化硅眼镜光学镜片
尺寸规格案例3
8英寸*T20mm晶棒
3英寸*T5.0mm厚片
碳化硅打孔
尺寸规格案例4
2~8寸晶锭
6英寸*T1.0mm厚片
碳化硅激光切割
尺寸规格案例5
晶棒抛光
直径159*T0.725mm载片
碳化硅雕刻
表面状态
切割
研磨
抛光
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碳化硅单晶 Silicon carbide
晶体结构
六方晶体
禁带宽度(eV)
3.26eV
熔点（℃）
2730℃
莫氏硬度(mohs)
9.2
热导率(W·cm-1·℃-1)
4.9W·cm-1·℃-1
热膨胀系数(℃-1)
4.7×10-6
晶格常数(nm)
a=0.3076 c=0.5048
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1）
720a 650c
击穿电场(MV·cm-1)
3.1
JFM指数（power）
410
BFM指数(SW)
290
BHFM指数(RF)
34
折射率
2.6767～2.6480
