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介绍：蓝宝石基氮化铝（AlN）薄膜是一种在蓝宝石衬底上外延生长的宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿电场和良好的紫外光透过性，特别适合用于紫外光电器件。
应用：蓝宝石基氮化铝薄膜是UVC器件的关键材料，广泛应用于杀菌消毒、紫外通信、医疗检测和高功率电子领域。用于5G通信基站、卫星通信和雷达系统；高频性能优异，适合毫米波应用。用于电动汽车、工业电源和快速充电器。用于航空航天、石油勘探等高温环境等高温电子器件。
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蓝宝石基氮化铝外延衬底Tempalte（2~6inch）
衬底直径
50.8mm
100mm
150mm
蓝宝石衬底厚度
430μm
650μm
1000μm
蓝宝石衬底表面
FSS/PSS/NPSS
蓝宝石衬底晶向
C-Plane
外延导电类型
UID
外延掺杂元素
Undoped
外延层厚度
0.1~2 μm
