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介绍：氧化镓（Ga₂O₃）是一种超宽禁带（~4.8 eV）半导体材料，具有高击穿电场、透明导电性和耐高温特性。其可通过熔融生长和薄膜沉积技术制备，在功率电子和光电器件领域具有广阔应用前景。
应用：氧化镓广泛用于高功率半导体器件，如场效应晶体管（FET）和肖特基二极管（SBD），提高能源转换效率。它还可用于深紫外探测器、透明电极及高温电子器件，在航空航天和核能探测等领域具有重要价值。
氧化镓单晶β-Ga2O3 <100>
尺寸
5*5mm
10*10mm
2英寸-50.8mm
4英寸-100mm
厚度
0.5mm
表面晶向*
<100> ± 1.0°
掺杂元素
Sn-doping
Fe-doping
Mg-doping
UID
电阻率
0.01~0.05 ohm.cm
＞1E10 ohm.cm
0.1~1 ohm.cm
掺杂浓度
~5E18 cm-3
Insulated
<5E17 cm-3
表面状态
单抛
双抛
研磨
切片
粗糙度
<0.5nm
<5um
N/A
双晶摇摆曲线 半高宽FWHM
＜150 arc sec
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晶体结构
单斜晶系
禁带宽度(eV)
4.8eV
熔点（℃）
1800℃
莫氏硬度(mohs)
5~6
热导率(W·cm-1·℃-1)
0.27W·cm-1·℃-1
热膨胀系数(℃-1)
αa=4.70×10-6αb=5.45×10-6αc=5.35×10-6
晶格常数(nm)
a=12。214Åb=3。0371Åc=5。7981Å
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1）
300
击穿电场(MV·cm-1)
10.3
JFM指数（power）
2844
BFM指数(SW)
3214
BHFM指数(RF)
142
