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介绍：硅基氮化镓HEMT（高电子迁移率晶体管）外延是在硅衬底上生长氮化镓（GaN）基异质结构的技术，主要用于制造高性能HEMT器件。
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应用：硅基氮化镓HEMT外延技术在高频、高功率和高效率应用中具有显著优势，广泛应用于5G通信、雷达系统、卫星通信、功率电子和无线基础设施等领域。
硅基氮化镓HEMT外延（2~8inch）
衬底直径
50.8mm
100mm
150mm
200mm
硅衬底厚度
1000μm
1150μm
硅衬底表面
Polished/Etched
硅衬底晶向
P(111)
外延结构图
