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介绍：通过外延生长技术在衬底GaAs上生长多层半导体材料，包括p型层、n型层和多量子阱（MQW）发光层。主要发射红外光或近红外光，波长范围为700 nm至1100 nm。
应用：用于遥控器、红外通信、夜视设备等红外LED;可以作为光源用于光纤通信系统；用于接近传感器、光电传感器等；用于红外照明和医疗检测设备。
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砷化镓红光LED外延（2~6inch）
衬底直径
2英寸-50.8mm
4英寸-100mm
6英寸-150mm
砷化镓衬底厚度
350μm
1000 ± 25μm
陈画家衬底表面
Polished/Etched
砷化镓衬底晶向
(100) 15°Off Toward<111> ±0.5°
砷化镓衬底型号
N-Si
外延发光类型
LED红光
发光波长
570-655nm
外延结构图
