⠀
介绍：硅片的原始材料是高纯度的多晶硅，经过一系列复杂的加工工艺，包括晶体生长、研磨、抛光、切片等步骤后形成，以满足半导体芯片制造的要求。
应用：硅片广泛用于集成电路（IC）、功率半导体、传感器和光电子器件，是半导体行业的核心材料。它支撑了智能手机、计算机、5G通信、新能源汽车、工业控制等领域的发展。随着先进封装和硅光子技术的进步，硅片在高性能计算（HPC）和光通信中发挥着重要作用。
⠀⠀
单晶硅衬底（2~12英寸）
直径
50.8mm
76.2mm
100mm
150mm
200mm
300.mm
厚度
400μm
500μm
625μm
725μm
775μm
表面晶向
<100> ∣ <111> ∣ <110>
生长方式
CZ ∣ FZ
掺杂类型
N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)
P-type(B-Doping)
Intrinsic
定位边晶向
16mm
22mm
32.5mm
47.5mm
Notch
电阻率
0.001-0.005ohm-cm
1-100ohm-cm
＞10000ohm-cm
正面状态
Epi-polished,Ra<0.5nm
反面状态
SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm
总厚度偏差TTV
≤8μm
≤10μm
≤20μm
≤30μm
弯曲度BOW
≤12μm
≤15μm
≤25μm
≤40μm
≤45μm
翘曲度WARP
≤60μm
边缘去除
≤2 mm
≤3 mm
单晶硅 Si
Growth Method生长方式
CZ/FZ
Crystal Structure晶体结构
Diamond
Lattice Constant(nm)晶格常数
a=5.4305Å
Density(g/cm3)密度
2.329
Melting point熔点（℃）
1410℃
Mohs Hardness(mohs)莫氏硬度
7
Dielectric Constant介电常数
11.8
Band Gap(eV)禁带宽度
1.1
Breakdown Electrical Field ((MV/cm))击穿电场
0.3
Thermal Conductivity(n-type）(W/cm.K )热导率（导电型）
1.48
Electron Mobility(cm2·V-1·s-1)电子迁移率
1480
热膨胀系数
2.6×10^-6 /℃
折射率
3.5
