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介绍：蓝宝石基氮化镓（HEMT）外延是一种在蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）基半导体结构，其核心优势在于高电子迁移率和优异的耐高温、耐高压性能。
应用：5G通信基站、雷达和卫星通信等射频器件；快速充电器、电动汽车和工业电源等功率电子器件；LED和激光二极管等。
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蓝宝石基氮化镓HEMT外延（2~8inch）
衬底直径
50.8mm
100mm
150mm
200mm
蓝宝石衬底厚度
430μm
650μm
1000μm
1600μm
蓝宝石衬底表面
FSS/PSS/NPSS
蓝宝石衬底晶向
C-Plane
外延结构图
