⠀
介绍：碳化硅（SiC）外延P型是通过在SiC衬底上生长掺杂受主杂质（如铝或硼）的外延层实现的，具有宽禁带、高导热性和高击穿电场等特性。
应用：应用于功率电子（高效电源转换器、电动汽车和工业电机驱动）、高温器件、IGBT（电动汽车和电力系统）、BJT（高功率放大和开关应用）和射频器件（5G基站和雷达）等领域有广泛应用，特别适合高功率、高频和高温环境。
⠀⠀
碳化硅P型外延衬底（2~8inch）
衬底直径
2英寸-50.8mm
4英寸-100mm
6英寸-150mm
8英寸-200mm
碳化硅衬底厚度
350μm
500μm
碳化硅衬底晶向
Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5°
碳化硅衬底电阻率
0.014～0.028 Ω•cm
外延导电类型
P-type
掺杂元素
Al-doping
外延层厚度
＜5 um
外延层厚度均匀性
≤6%
外延层表面
RMS＜1nm
外延结构图
