碳化硅导电特殊晶型单晶衬底（6H-N/4H-P/6H-P/3C-N）

直径

10*10 mm

50.8mm

100mm

厚度

350μm

350μm

350μm

晶型

6H-N ∣ 4H-P ∣ 6H-P ∣3C-N

表面晶向6H-N/4H-P/6H-P

Off axis: 0.0°- 8.0° toward <11-20>  ± 0.5°

表面晶向3C-N

On axis : <0001>±0.5°

电阻率6H-N/4H-P/6H-P

≤ 0.5 Ω ·cm

电阻率3C-N

≤ 1.0 mΩ ·cm

正面状态

Si-Face：CMP,Ra<0.5nm

反面状态

C-Face：Optical Polish,Ra<1.0nm

镭刻码面

Back side ：C-Face

总厚度偏差TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

弯曲度BOW

≤15μm

≤25μm

≤25μm

翘曲度WARP

≤30μm

≤30μm

≤40μm

碳化硅单晶 Silicon carbide

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

3.26eV

熔点（℃）

2730℃

莫氏硬度(mohs)

9.2

热导率(W·cm^-1·℃^-1)

4.9W·cm^-1·℃^-1

热膨胀系数(℃^-1)

4.7×10^-6

晶格常数(nm)

a=0.3076 c=0.5048

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1）

720^a 650^c

击穿电场(MV·cm^-1)

3.1

JFM指数（power）

410

BFM指数(SW)

290

BHFM指数(RF)

34

折射率

2.6767～2.6480