成为一个全国领先的半导体晶圆材料加工与技术服务供应商
To be a globally leading semiconductor wafer material processing and technology service provider
优质、定制、创新、发展
High quality、customized、innovative and advancement.

始终关注客户需求,为客户
企业和员工的共同发展而努力
Always pay attention to customer needs and strive for the common development of customers, enterprises, and employees

产品详情
details
产品详情

斜切角晶向.jpg

斜切角晶向衬底

介绍化学式(α-Al2O3),为六方晶格结构。化学性质非常稳定,不溶于水,耐强酸、强碱的腐蚀。莫氏硬度9级,熔点为2050℃,沸点3500℃,最高工作温度可达1900℃。透光性好,热传导性和电气绝缘性,力学机械性能表现优秀,具有耐磨和抗划伤的特点。

应用:高质量氮化镓外延生长(减少缺陷,提高晶体质量)、高频电子器件(改善电学性能)

产品规格书

⠀⠀

蓝宝石偏角度单晶衬底(2~6英寸)

材料成分

>99.99%,High Purity, Mono-crystalline Al2O3 (KY)

晶向类型C-M

C-axis (0001) off-cut 0.5°~10°  ± 0.1° toward M (1-100)

晶向类型C-A

C-axis (0001) off-cut 0.5°~8° ± 0.1° toward A (11-20)

晶向类型A-M

A-axis (11-20) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward M (1-100)

晶向类型A-C

A-axis (11-20) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward C (0001)

晶向类型R-M

R-axis (1-102) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward M (1-100)

晶向类型R-C

R-axis (1-102) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward C (0001)

晶向类型M-C

M-axis (1-100) off-cut 0.5°~6° ± 0.1° toward C (0001)

直径

50.8mm

100mm

150mm

厚度

430um

650um

1000um

定位边晶向

A-plane ± 0.3°

定位边长度

16mm

30mm

47.5mm

正面状态

Epi-polished,Ra<0.3nm

反面状态

SSP:Fine-ground,Ra=0.8-1.2um; DSP:Epi-polished,Ra<0.3nm

总厚度偏差TTV

<10 um

<20 um

<25 um

弯曲度BOW

-15~0 um

-25~0 um

-35~0 um

翘曲度WARP

<15 um

<30 um

<40 um

边缘去除

≤2 mm

产品性能表

蓝宝石单晶 Sapphire

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

/

熔点(℃)

2040℃

莫氏硬度(mohs)

9

热导率(W·cm-1·℃-1)

0.46W·cm-1·℃-1

热膨胀系数(℃-1)

6.7*10-6 // C-axis
5.0*10-6 ⊥C-axis

晶格常数(nm)

a=4.76Å c=12.99Å

折射率

1.762~1.777

透过率

测试样品:蓝宝石:直径76.2毫米×厚度4毫米
紫外线:波长200至380纳米,透过率74%至84%
可见光:波长380至760纳米,透过率85%
红外线:波长760至1000纳米,透过率85%
远红外线:波长大于1000纳米,透过率80%至100%

联系我们
contact us
0510-86886380
江苏省江阴市港城大道988号