⠀
介绍：硅基氮化镓（GaN-on-Si）LED外延是在硅衬底上生长氮化镓（GaN）材料以制造LED芯片的技术。它结合了GaN的高效发光特性和硅衬底的低成本优势，是LED领域的重要研究方向。
应用：常规LED：主要用于通用照明（如室内外灯具、车灯）和背光显示（如电视、显示器）；Mini-LED：用于高端显示技术，如电视、显示器、平板电脑等，作为背光源。Micro-LED：用于下一代显示技术，如AR/VR设备、智能手表、高清大屏等。
⠀⠀
硅基氮化镓LED外延（2~8inch）
衬底直径
50.8mm
100mm
150mm
200mm
硅衬底厚度
1000μm
1150μm
硅衬底表面
Polished/Etched
硅衬底晶向
P(111)
外延发光类型
LED绿光
LED蓝光
LED紫光
发光波长
520-530nm
450-460nm
410-420nm
外延结构图
