碳化硅衬底是第三代
⠀
介绍：二氧化硅（SiO₂）是一种常见的无机化合物，主要以石英、玻璃和硅胶等形式存在。它具有高硬度、高熔点（约1713℃）、优异的化学稳定性和良好的绝缘性能。
应用：二氧化硅（SiO₂）广泛应用于半导体、光通信、玻璃和陶瓷等领域。它在电子工业中作为硅片的氧化层、绝缘介质和CMP抛光材料，在光通信中作为光纤的主要材料，并用于制造光学玻璃和防反射涂层。此外，SiO₂还用于耐火材料、催化剂载体、食品添加剂和药物载体，发挥其优异的化学稳定性和耐热性。
二氧化硅衬底（2~12inch）
直径
50.8mm
76.2mm
100mm
150mm
200mm
300mm
厚度
400μm
500μm
625 μm
725μm
775μm
表面晶向
<100> ∣ <111> ∣ <110>
掺杂类型
N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)
P-type(B-Doping)
Intrinsic
定位边长度
16mm
22mm
32mm
47.5mm
Notch
正面状态
Epi-polished,Ra<0.5nm
反面状态
SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm
氧化类型
单面氧化 ∣ 双面氧化
氧化层厚度
50nm
100nm
300nm
500nm
1000nm
2000nm
总厚度偏差TTV
≤8μm
≤10μm
≤20μm
≤30μm
弯曲度BOW
≤12μm
≤15μm
≤25μm
≤40μm
≤45μm
翘曲度WARP
≤60μm
边缘去除
≤2 mm
≤3 mm
单晶硅 Si
晶体结构
金刚石立方晶体
禁带宽度(eV)
1.12eV
熔点（℃）
1414℃
莫氏硬度(mohs)
7
热导率(W·cm-1·℃-1)
1.5W·cm-1·℃-1
热膨胀系数(℃-1)
2.5×10-6
晶格常数(nm)
a=0.5431
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1）
1350
击穿电场(MV·cm-1)
0.3
JFM指数（power）
1
BFM指数(SW)
BHFM指数(RF)
折射率
3.5
