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  • 蓝宝石/碳化硅/硅片/石英的硬度特性对切磨抛加工的区别及影响
    蓝宝石/碳化硅/硅片/石英的硬度特性对切磨抛加工的区别及影响
    蓝宝石/碳化硅/硅片/石英的硬度特性对切磨抛加工的区别及影响 晶体材料的硬度是决定切磨抛加工工艺选型、加工效率、成本控制及成品质量的核心指标，其硬度高低直接影响加工工具、工艺参数、缺陷控制难度等关键环节。以下针对蓝宝石、碳化硅、硅片、石英四种典型晶体材料，从硬度特性出发，系统分析其对切磨抛加工的差异
    2026-01-29
  • 金刚石衬底表面工艺（单晶/多晶/薄膜）的平整度与粗糙度对晶圆键合工艺的影响分析
    金刚石衬底表面工艺（单晶/多晶/薄膜）的平整度与粗糙度对晶圆键合工艺的影响分析
    金刚石衬底表面工艺（单晶/多晶/薄膜）的平整度与粗糙度对晶圆键合工艺的影响分析 金刚石凭借超高热导率（可达2000W/(m·K)以上）、优异化学惰性及宽禁带特性，成为GaN、SiC等宽禁带半导体器件异质集成的理想散热衬底，晶圆键合是实现金刚石与半导体器件集成的核心技术路径。单晶、多晶金刚石及金刚石薄
    2026-01-29
  • 单晶与多晶金刚石衬底：特性、生产工艺差异及市场应用方向分析
    单晶与多晶金刚石衬底：特性、生产工艺差异及市场应用方向分析
    单晶与多晶金刚石衬底：特性、生产工艺差异及市场应用方向分析 金刚石衬底依据晶体结构可分为单晶与多晶两类，二者均凭借超高热导率、极致硬度等共性优势，在半导体、光学、精密加工等领域占据重要地位。但晶体排列方式的本质差异，导致其在材料特性、生产工艺复杂度、性能上限及市场适配场景上形成显著分野。本文通过系统
    2026-01-20
  • 单晶金刚石衬底的材料特性、生产工艺及半导体与光学市场应用分析
    单晶金刚石衬底的材料特性、生产工艺及半导体与光学市场应用分析
    单晶金刚石衬底的材料特性、生产工艺及半导体与光学市场应用分析 单晶金刚石衬底凭借碳原子sp³杂化形成的正四面体共价键结构，具备长程有序的晶格排列，无晶界制约，在力学、热学、光学、电学等领域展现出极致性能。作为“终极半导体材料”，其超高热导率、超宽禁带等特性可突破传统衬底物理极限，在半导体热管理、高频
    2026-01-20
  • 不同晶型碳化硅（4H-N/6H-N/4H-P/6H-P/3C-N/4H-半绝缘）的工艺制程及市场应用区别
    不同晶型碳化硅（4H-N/6H-N/4H-P/6H-P/3C-N/4H-半绝缘）的工艺制程及市场应用区别
    不同晶型碳化硅（4H-N/6H-N/4H-P/6H-P/3C-N/4H-半绝缘）的工艺制程及市场应用区别 碳化硅（SiC）拥有超过200种晶体结构（多型体），其中4H、6H（六方晶系H）和3C（立方晶系C）是应用最广泛的三种晶型。其导电类型（N型、P型、半绝缘型）通过掺杂工艺调控，晶型与导电类型的组
    2026-01-14
  • 不同衬底材料对MOCVD氮化镓外延生长工艺与性能的影响
    不同衬底材料对MOCVD氮化镓外延生长工艺与性能的影响
    不同衬底材料对MOCVD氮化镓外延生长工艺与性能的影响 氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料，其外延层质量直接决定器件的高频、高压、高功率性能，而衬底材料的晶格常数、热膨胀系数、导热性等本质特性，是影响MOCVD（金属有机化学气相沉积）外延生长工艺设计、外延层缺陷密度及最终器件性能的核心因素。
    2026-01-13
  • 12寸蓝宝石/石英/硅/碳化硅晶圆材料对比及在先进封装中的使用场景对比与说明
    12寸蓝宝石/石英/硅/碳化硅晶圆材料对比及在先进封装中的使用场景对比与说明
    12寸蓝宝石/石英/硅/碳化硅晶圆材料对比及在先进封装中的使用场景对比与说明 在先进封装领域，12寸蓝宝石晶圆、石英晶圆、硅晶圆、碳化硅晶圆因材料性能差异，适配场景各有侧重。以下从材料核心特性、使用场景及注意事项三方面，进行详细对比说明。
    2026-01-13
  • 半绝缘碳化硅衬底：从 500 µm 到 350 µm 的演进
    半绝缘碳化硅衬底：从 500 µm 到 350 µm 的演进
    半绝缘碳化硅衬底：从 500 µm 到 350 µm 的演进 随着宽禁带半导体时代的到来，碳化硅（SiC）凭借其优异的热导率、高击穿电场以及出色的化学稳定性，已成为高功率、高频电子器件中的关键材料。在众多 S
    2026-01-08
  • 蓝宝石、熔融石英与硅片：主流光学材料的特性对比与应用选择
    蓝宝石、熔融石英与硅片：主流光学材料的特性对比与应用选择
    蓝宝石、熔融石英与硅片：主流光学材料的特性对比与应用选择 随着光电子、
    2026-01-08
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