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  • MPCVD 制备高质量金刚石厚膜的关键工艺解析 随着半导体、光学、精密加工和高功率器件等领域的快速发展,对高性能金刚石材料的需求持续攀升。金刚石以其卓越的硬度、导热性、宽禁带和化学稳定性,被视为新一代战略材料。然而,要实现大尺寸、高质量的金刚石材料,制备技
    2025-12-05
  • 如何选择合适SiC衬底? 碳化硅(SiC)因其优异的热导率、高击穿电场强度以及卓越的光学特性,被广泛应用于电力电子、射频(RF)器件以及光子学研究中。然而,不同应用对SiC衬底的选择标准各不相同。本文将提供关键要点和示例,帮助您在选择过程中做出明智决策。
    2025-11-25
  • 6H-SiC 衬底:N 型与 P 型在功率电子及关联领域的深入对比分析 碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体的核心材料,因其高击穿电场
    2025-11-25
  • 3C-SiC 衬底:驱动下一代高性能半导体的核心材料 作为第三代半导体材料的重要分支,3C-SiC(立方碳化硅,β-SiC)以其独特的材料优势,在全球功率电子、射频通信、MEMS 及新材料研究领域迅速崛起。随着应用需求加速增长,3C-SiC 衬底正成为产业链关注的关键方向。
    2025-11-25
  • 单晶金刚石 vs 多晶金刚石:到底差在哪?一篇深入讲透 提起金刚石,很多人第一反应是闪闪发光的钻石。但在工业界,它可是实打实的“硬核选手”。不过你可能不知道:金刚石并不只有一种
    2025-11-18
  • 蓝宝石衬底加工工艺与表面状态分析 蓝宝石衬底加工工艺链概述 蓝宝石衬底的加工通常遵循一个从"粗"到"精"的工艺链:
    2025-11-17
  • 碳化硅衬底加工工艺与表面状态分析 ——多线切割、研磨与CMP抛光工艺的表面粗糙度及应用解析 碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体材料,凭借高热导率、高击穿电场与高硬度特性,被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、5G通信与航空航天领域。然而,这些特性同时带来了极高的加工难度。本文将从多线切割、研磨与CM
    2025-11-10
  • 4H 半绝缘碳化硅晶片在功率电子与新能源领域中的优异导热性能与应用前景
    2025-11-05
  • 碳化硅衬底:Dummy、Research 与 Production 级全方位对比 引言 碳化硅(Silicon Carbide,SiC)
    2025-11-05
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