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介绍：碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-SiC HEMT）外延技术是在碳化硅（SiC）衬底上生长氮化镓（GaN）薄膜，结合了GaN的高频高功率性能和SiC优异的导热性。
应用：用于5G基站中的射频功率放大器；雷达系统；卫星通信系统中的高功率放大器、高效电源转换器、电动汽车充电器和工业电机驱动器；无线通信基站中的射频前端模块等。
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碳化硅基氮化镓HEMT外延衬底（2~6inch）
衬底直径
2英寸-50.8mm
4英寸-100mm
6英寸-150mm
碳化硅衬底厚度
500μm
碳化硅衬底晶向
{0001}
碳化硅衬底电阻率
≥1E7 Ω·cm
外延结构图
