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介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性。
应用：新能源汽车领域：在电动汽车的电驱系统、车载充电系统（OBC）、车载DC/DC及非车载充电桩等组件中广泛应用。例如在电动车逆变器中，使用4H-N型导电碳化硅晶片制成的功率器件，可使整车能耗更低、尺寸更小、充电更快、续航里程更长。
⠀产品规格书
碳化硅4H-N导电型单晶衬底（2~8英寸）
直径
50.8mm
100.0mm
150.0mm
200.0mm
厚度
350μm
500μm
表面晶向
Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5°
主参考面晶向
Parallel to <11-20>±1°
<1-100>±1°
主参考面长度
16.0mm
32.5mm
47.5mm
Notch
次参考面位置
Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.
N/A
次参考面长度
8.0mm
18.0mm
电阻率
0.014～0.028Ω•cm
正面状态
Si-Face：CMP,Ra<0.2nm
反面状态
C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm
镭刻码面
Back side：C-Face
总厚度偏差TTV
≤10μm
≤15μm
≤20μm
弯曲度BOW
≤25μm
≤30μm
≤40μm
≤60μm
翘曲度WARP
≤80μm
边缘去除
≤3 mm
⠀产品性能表
碳化硅单晶 Silicon carbide
晶体结构
六方晶体
禁带宽度(eV)
3.26eV
熔点（℃）
2730℃
莫氏硬度(mohs)
9.2
热导率(W·cm-1·℃-1)
4.9W·cm-1·℃-1
热膨胀系数(℃-1)
4.7×10-6
晶格常数(nm)
a=0.3076 c=0.5048
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1）
720a 650c
击穿电场(MV·cm-1)
3.1
JFM指数（power）
410
BFM指数(SW)
290
BHFM指数(RF)
34
折射率
2.6767～2.6480
