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介绍：碳化硅（SiC）外延N型是在SiC衬底上生长N型掺杂外延层的技术，具有高电子迁移率、高热导率和高击穿电场等优异特性。
应用：应用于高效、高功率电子设备、高频通信和雷达系统等功率和射频器件，SBD和MOSFET在高效AC/DC和DC/DC电源转换、电动汽车和工业电机驱动等领域具有高效能优势。
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碳化硅N型外延衬底（2~8inch）
衬底直径
2英寸-50.8mm
4英寸-100mm
6英寸-150mm
8英寸-200mm
碳化硅衬底厚度
350μm
500μm
碳化硅衬底晶向
Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5°
碳化硅衬底电阻率
0.014～0.028 Ω•cm
外延导电类型
N-type
掺杂元素
N-doping
外延层厚度
5.5 um
11 um
15 um
30 um
外延层厚度均匀性
±6%
耐压型号
650V
1200V
1700V
3300V
掺杂浓度
1.0E16 /cm3
8.0E15 /cm3
5.3E15 /cm3
3E15 /cm3
掺杂均匀性
±10%
外延层表面
Ra＜1nm
碳化硅N型外延
