碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体的核心材料，因其高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等关键优势，已在功率电子、射频、光电与极端环境电子领域产生深远影响。在诸多 SiC 多型结构中，6H-SiC 凭借成熟的晶体生长技术及稳定的材料特性，依旧在产业链中占据重要地位。
根据外延材料或器件结构的功能需求，6H-SiC 衬底通常分为 N 型与P 型两类，其差异根植于掺杂机制与载流子行为。本文将从定义、材料物理特性、关键优势、典型应用到未来趋势进行系统性、深入的比较分析。
6H-SiC 是 SiC 中典型的六方晶体多型，其晶格沿 c 轴方向每六层重复一次，具有：
禁带宽度（Eg）约 3.0 eV
高热导率（3–4.9 W/cm·K）
高击穿电场（约 3 MV/cm）
这些特性使其非常适合高温、高功率密度应用。
掺杂元素：氮（N），替代碳位（C-site）成为施主杂质
主要载流子：电子
电子迁移率优于空穴迁移率，使其有利于低电阻、高导电型衬底的制备
掺杂元素：铝（Al，受主）或硼（B）
主要载流子：空穴
P 型 SiC 的空穴迁移率较电子迁移率低，导致其电阻率明显高于 N 型
6H-N 型 SiC 衬底凭借低电阻率、成熟的晶体生长技术及良好的外延兼容性，已成为当前 SiC 功率电子产业的基础材料，广泛应用于 MOSFET、SBD、IGBT 等高压器件中，并在高频与极端环境电子领域表现优异。
相比之下，6H-P 型虽然不具备商业化大规模量产的优势，但在 P 型外延研究、光电器件开发、PN 结结构探索 等领域具有无可替代的价值，是推动 SiC 前沿技术持续演进的重要力量。
从长远来看，随着晶圆尺寸扩大、缺陷密度下降、掺杂与外延技术持续突破，N 型与 P 型 6H-SiC 将形成互补关系，为功率电子、光电子乃至未来多物理场集成设备提供更广阔的发展空间。
作为国内碳化硅材料领域的重要供应商，晶沐光电长期专注于宽禁带半导体材料研发及定制化产品供应。针对科研机构及高端器件开发需求，晶沐光电可提供多种特殊晶型的碳化硅衬底与外延材料，包括：
3C-SiC（立方相）：适用于高频器件、功率开关、MEMS、传感器与光电子研究，具备低界面态密度与硅衬底兼容等优势。
6H-SiC（六方相）：可提供 N 型与 P 型衬底，用于功率器件、光电应用及 PN 结结构研究。
晶沐光电支持 小批量科研用料 与 定制化规格（尺寸、掺杂类型、电阻率、外延层设计），为高校、研究机构及企业用户提供从材料到器件开发的全流程支持。这些高品质 3C/6H 碳化硅材料将为新型功率电子、光电子以及前沿半导体技术的发展提供坚实基础。
