成为一个前沿创新、高精度、全周期专业的半导体晶圆材料加工与技术服务供应商
To be a globally leading semiconductor wafer material processing and technology service provider
查看更多
优质、定制、创新、发展
High quality、customized、innovative and advancement.
查看更多

始终关注客户需求，为客户
企业和员工的共同发展而努力
Always pay attention to customer needs and strive for the common development of customers, enterprises, and employees
查看更多

关于我们
产品中心
技术服务
资讯中心
联系我们
资讯中心
NEWS
资讯中心
资讯中心
  • 从AFM到TEM——看清蓝宝石衬底表面的台阶-平台纳米结构
    从AFM到TEM——看清蓝宝石衬底表面的台阶-平台纳米结构
    从AFM到TEM——看清蓝宝石衬底表面的台阶-平台纳米结构 "台阶-平台"到底是什么？ 拿到一片抛光好的蓝宝石衬底，肉眼看是完美的镜面。但用AFM放大到纳米尺度，你会发现表面并不是绝对平整的——它由一系列平坦的"平台"（terrace）和分隔平台的"台阶"（step）
    2026-11-04
  • 蓝宝石衬底退火工艺窗口的实测数据——温度与时间
    蓝宝石衬底退火工艺窗口的实测数据——温度与时间
    蓝宝石衬底退火工艺窗口的实测数据——温度与时间 退火是衬底预处理的关键一步 蓝宝石衬底从出厂到进入外延炉之间，通常需要经过一道高温退火处理。这道工艺的目的有三个：一是去除表面加工残留的损伤层和污染物；二是让表面原子重新排列，形成热力学稳定的低能表面；三是获得预期的台阶-平台形貌，为外延生长提供理想的
    2026-11-04
  • 切偏角（Miscut）——决定蓝宝石衬底外延起点的隐形变量
    切偏角（Miscut）——决定蓝宝石衬底外延起点的隐形变量
    切偏角（Miscut）——决定蓝宝石衬底外延起点的隐形变量 为什么要关注切偏角？ c面(0001)蓝宝石是LED、激光二极管、射频器件和氧化锌薄膜最常用的外延衬底之一。采购蓝宝石衬底时，工程师通常会确认尺寸、厚度、双面抛光还是单面抛光、晶面是否为c面——但往往会忽略一个对最终外延质量影响极大的参数：
    2026-11-04
  • Si‑on‑SiC键合衬底：界面电荷如何影响衬底电学性能与下游器件
    Si‑on‑SiC键合衬底：界面电荷如何影响衬底电学性能与下游器件
    Si‑on‑SiC键合衬底：界面电荷如何影响衬底电学性能与下游器件 对于衬底供应商，衬底不只是“外观合格、无空洞、键合牢固”，更关键是衬底的电学性能。在前一篇中我们看到：同样是100 mm Si‑on‑SiC键合衬底，原始n型硅器件层，在2 μm厚度下测出p型电学响应；减薄到1 μm才接近n型特性。
    2026-10-28
  • Si‑on‑SiC键合衬底：面向航天极端工况的新型异质衬底方案
    Si‑on‑SiC键合衬底：面向航天极端工况的新型异质衬底方案
    Si‑on‑SiC键合衬底：面向航天极端工况的新型异质衬底方案 电力电子、航天航空、深空探测等极端应用场景，对衬底材料提出严苛要求：高导热、抗辐射、可耐受高温无冷却工作。传统SOI衬底依靠二氧化硅埋氧层实现隔离，但二氧化硅导热能力差，器件工作产生的热量难以导出，自热效应严重限制功率器件性能上限。
    2026-10-28
  • 蓝宝石图案如何改写应变：从各向异性走向各向同性
    蓝宝石图案如何改写应变：从各向异性走向各向同性
    蓝宝石图案如何改写应变：从各向异性走向各向同性 对于异质外延，衬底不只是承载薄膜的载体。在r面蓝宝石这个天然带来各向异性晶格失配的体系中，衬底之上的图案构型，会直接决定外延薄膜的应变弛豫行为。本研究利用高分辨X射线衍射（HRXRD）、倒空间映射（RSM）定量解析平面模板、条纹模板、微棒模板三类蓝宝石
    2026-10-23
  • 两种图案化蓝宝石基模板比拼：条纹模板 vs 微棒阵列模板
    两种图案化蓝宝石基模板比拼：条纹模板 vs 微棒阵列模板
    两种图案化蓝宝石基模板比拼：条纹模板 vs 微棒阵列模板 侧向外延过度生长（ELO）是降低氮化物外延层缺陷的经典手段。本研究全部实验基于r面蓝宝石衬底，开发并对比了两种图案化模板方案：传统一维条纹模板，以及本文创新的二维棋盘式微棒阵列模板。
    2026-10-23
  • R面蓝宝石衬底上非极性GaN，为什么这么难?
    R面蓝宝石衬底上非极性GaN，为什么这么难?
    r面蓝宝石衬底上非极性GaN，为什么这么难? 随着5G移动通信的快速发展，基于III族氮化物的功率电子器件与射频（RF）器件需求显著增长。氮化镓（GaN）凭借高击穿电压、高饱和电子速度及优异的机械硬度，成为制造高功率、高频、耐高温器件的核心材料。
    2026-10-23
  • 多工艺对比：金刚石衬底晶片差异化制备技术选型指南
    多工艺对比：金刚石衬底晶片差异化制备技术选型指南
    多工艺对比：金刚石衬底晶片差异化制备技术选型指南 一、技术概述 金刚石衬底晶片根据结构特性可分为单晶金刚石衬底、多晶金刚石衬底、金刚石薄膜三大核心品类，三类产品的晶粒结构、缺陷密度、表面粗糙度、热稳定性及界面附着力差异显著，对应完全不同的科研场景与工业应用领域。衬底晶
    2026-10-09
1 / 18
Company
Spirit
追求卓越，挑战极限
Pursuing Excellence and
Challenging the Limits
0510-86886380
江苏省江阴市港城大道988号
苏ICP备2025158452号-1  苏公网安备32028102002659号
联系我们
contact us
0510-86886380
江苏省江阴市港城大道988号
苏ICP备2025158452号-1  苏公网安备32028102002659号