碳化硅（SiC）因其优异的热导率、高击穿电场强度以及卓越的光学特性，被广泛应用于电力电子、射频（RF）器件以及光子学研究中。然而，不同应用对SiC衬底的选择标准各不相同。本文将提供关键要点和示例，帮助您在选择过程中做出明智决策。
n型 / p型SiC衬底：适用于功率器件，如MOSFET和二极管。
半绝缘SiC衬底：主要用于射频和微波器件。
高纯未掺杂SiC衬底：适合光学和光子学研究。
多晶型：
4H-SiC（行业标准，高电子迁移率）
6H-SiC（部分研究中使用）
3C-SiC（仍处于研究阶段）
晶向：如 (0001)、(11-20) 等。晶向会影响外延生长及器件性能。
常见直径：2英寸、3英寸、4英寸（研究级）、6英寸（工业级）
厚度：通常为300–500 µm，依据工艺要求而定
抛光方式：单面抛光（SSP）或双面抛光（DSP）
缺陷控制：微孔（micropipe）、位错、划痕、表面粗糙度
电阻率范围（半绝缘SiC衬底尤为关键）
光学透过率与折射率（光子学应用中重要）
应用：MOSFET、肖特基二极管（SBD）
推荐参数：
导电类型：n型
多晶型：4H-SiC
尺寸：4英寸，厚度约350 µm
晶向：(0001)
表面：单面抛光（SSP），缺陷密度 < 500 cm⁻²
重点：低电阻率、低缺陷密度
应用：基于SiC的光子器件、非线性光学实验
推荐参数：
导电类型：高纯未掺杂
多晶型：4H-SiC或6H-SiC
尺寸：2–4英寸，厚度350–500 µm
晶向：(0001)
表面：双面抛光（DSP），确保透光性和低散射
重点：透光率、折射率、缺陷密度
应用：微波器件、功率放大器
推荐参数：
导电类型：半绝缘
多晶型：4H-SiC
尺寸：4英寸
晶向：(0001)
表面：单面抛光（SSP）
重点：高电阻率 (>10⁶ Ω·cm)、低位错密度
SiC衬底的选择高度依赖于具体应用：
功率器件 → n型4H-SiC，低缺陷密度、低电阻率
光学/光子学 → 高纯未掺杂，双面抛光（DSP），强调透光率和折射率
射频器件 → 半绝缘，高电阻率，保证信号性能稳定
晶沐光电提供高品质碳化硅（SiC）衬底，涵盖导电型和半绝缘型，尺寸范围为2–8英寸。我们可根据客户需求提供定制的形状与厚度，以满足不同应用领域的功率电子、光子器件及射频器件等需求。
