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  • 碳化硅晶圆标识之争：为何6英寸依然青睐平边而非缺口？
    碳化硅晶圆标识之争：为何6英寸依然青睐平边而非缺口？
    碳化硅晶圆标识之争：为何6英寸依然青睐平边而非缺口？ 在碳化硅（SiC）晶圆制造中，**定位平边（Orientation Flat）与定位缺口（Notch）**是两种常用的晶向标识方法，用于指示晶圆的晶体取向及主轴方向，从而辅助生产和搬运过程中的精确对准。两者的选择体现了不同的技术与工艺需求，并受到
    2025-08-18
  • 碳化硅衬底全等级解析：从科研测试到高端功率应用
    碳化硅衬底全等级解析：从科研测试到高端功率应用
    碳化硅衬底全等级解析：从科研测试到高端功率应用 碳化硅（Silicon Carbide，SiC）衬底是宽禁带半导体器件制造的关键基础材料。根据衬底的质量、缺陷密度、尺寸规格与表面处理工艺，SiC衬底被划分为不同等级，以匹配不同应用需求与市场定位。这些分类不仅决定了器件的性能和可靠性，也直接影响生产成
    2025-08-18
  • 为什么硅化碳（SiC）晶圆存在碳面（C面）和硅面（Si面）？
    为什么硅化碳（SiC）晶圆存在碳面（C面）和硅面（Si面）？
    为什么硅化碳（SiC）晶圆存在碳面（C面）和硅面（Si面）？ 1. SiC的基本结构与组成
    2025-08-13
  • 理解碳化硅（SiC）晶圆加工：从外延生长到器件制造
    理解碳化硅（SiC）晶圆加工：从外延生长到器件制造
    理解碳化硅（SiC）晶圆加工：从外延生长到器件制造 碳化硅（SiC）因其宽禁带、高击穿电场和优异的热导率，已成为下一代功率和高频电子器件开发中的关键材料。与传统硅相比，SiC的晶圆加工工艺更加复杂，需要对晶体质量、缺陷管理以及高精度制造技术进行严格控制。本文概述了SiC晶圆加工的关键阶段，从外延生长
    2025-08-11
  • 4H-N 型碳化硅（SiC）晶圆的特性与优势
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    4H-N 型碳化硅（SiC）晶圆的特性与优势 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的共价化合物，作为第三代宽禁带半导体材料，因其优异的物理、电学及热学性能，近年来在功率器件、新能源、航天、5G通信、电动汽车等高科技领域得到了广泛应用。
    2025-07-31
  • 4H-HPSI 半绝缘碳化硅晶圆的优势与技术规格
    4H-HPSI 半绝缘碳化硅晶圆的优势与技术规格
    4H-HPSI 半绝缘碳化硅晶圆的优势与技术规格 随着第三代半导体技术的快速发展，碳化硅（SiC）晶圆因其高耐压、高热导率、宽禁带等特性，在功率电子、射频通信和高温传感等领域得到广泛应用。根据电学特性不同，碳化硅晶圆主要分为以下两类：<
    2025-07-31
  • 碳化硅（SiC）晶圆制造工艺全解析：驱动第三代半导体革命的核心材料
    碳化硅（SiC）晶圆制造工艺全解析：驱动第三代半导体革命的核心材料
    碳化硅（SiC）晶圆制造工艺全解析：驱动第三代半导体革命的核心材料 随着第三代半导体技术的迅猛发展，以碳化硅（SiC）晶圆为代表的新型材料正在逐步取代传统硅材料，成为功率电子、射频通信、汽车电子和新能源应用中的关键基础。凭借其优异的高温承受能力、高击穿电场强度、高频率响应和出色的热导率，SiC 晶圆
    2025-07-30
  • 8英寸高质量蓝宝石衬底：多领域应用分析与技术影响
    8英寸高质量蓝宝石衬底：多领域应用分析与技术影响
    8英寸高质量蓝宝石衬底：多领域应用分析与技术影响 8英寸蓝宝石衬底在现代电子与光电器件制造中扮演着至关重要的角色。凭借其优异的热导率、机械强度和化学稳定性，广泛应用于LED、激光器、射频器件等领域。本文将重点探讨8英寸蓝宝石衬底在Micro LED、HEMTs器件以及载体晶圆中的具体应用及其优势，揭
    2025-07-24
  • 8英寸蓝宝石衬底：制造工艺与关键技术参数
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    8英寸蓝宝石衬底：制造工艺与关键技术参数 8英寸（200mm）蓝宝石衬底因其出色的物理和化学性能，已广泛应用于LED照明、射频集成电路（RFIC）、光电器件等高端领域。其制造过程复杂且高度精密，涉及
    2025-07-24
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