随着新能源汽车进入 800V 高压时代、AI 数据中心对能效需求不断提升，以及 AR 设备向轻量化和高性能方向演进，第三代半导体材料——**碳化硅（SiC）**正迎来新一轮快速增长周期。
根据多家机构预测，2024 年全球碳化硅器件市场规模约为 43.6 亿美元，预计到 2030 年将上升至 229.45 亿美元，年复合增长率超过 32%。凭借高耐压、低损耗和卓越散热性能等优势，碳化硅正成为高端制造领域不可替代的关键材料，同时也为国产企业带来前所未有的产业机遇。
一、碳化硅凭什么成为“核心材料”？
碳化硅属于第三代宽禁带半导体，与硅（Si）和氮化镓（GaN）相比，在禁带宽度、击穿电场强度及热导率等关键参数上具有显著优势，特别适用于高压、高频和高温等严苛应用场景。
得益于材料性能优势，碳化硅可显著提升系统效率与可靠性：
新能源汽车续航提升 5%–10%
超充桩损耗降低 50%
AI 服务器散热性能大幅改善，能耗显著下降
这些特点使其成为未来高端装备和绿色能源转型的“基础材料”。
二、四大核心应用场景支撑千亿级市场空间
新能源汽车仍是碳化硅需求最大的应用领域。
2024 年已有超过 40 款新车型采用 800V 架构，主流车企在电驱系统中大规模导入 SiC MOSFET。
应用价值主要体现在：
导通损耗降低约 50%
散热系统简化，整车轻量化
续航提升 5%–10%
中长期渗透率有望超过 20%
随着碳化硅成本进一步下降，其将加速向中端车型渗透。
在光伏逆变器、储能系统和超充桩中，效率与功率密度是核心指标，而碫化硅正是提升性能的关键。
例如：
超充桩采用 SiC 后，功率可提升 30%
光伏储能系统年化收益可提升约 2800 元（以 62.5kW PCS 为例）
2025 年全球光伏新增装机量预计将达到 655GW，储能新增 81.6GW，行业扩容持续拉动碳化硅需求。
工程机械电动化加速，碳化硅逆变器能应对高负载、恶劣工况；
轨道交通试点数据显示，SiC 系统可使列车能耗降低 10%–20%，噪音下降超过 14dB；
在高压输电领域，一只 SiC 器件可替代约四只硅器件，大幅减少串联数量，提高系统稳定性。
除了传统电力与能源场景，三大新兴方向正在成为新的增长动力：
Meta、英伟达、台积电等厂商均已开始布局相关技术，进一步印证了碳化硅在前沿应用中的潜力。
三、国产替代加速推进，本土企业迎来发展窗口
近年来，全球碳化硅市场仍由国际厂商占据主导地位，但国产企业正通过产能建设与技术突破迅速缩小差距。
2024 年 ST、安森美、英飞凌等合计市场份额约 83%。
芯联集成营收增速达 188%
三安集成同比增长 55%
基本半导体增长 33.6%
多家国内企业实现 12 英寸衬底量产
晶盛机电实现 12 英寸衬底加工设备国产替代，为衬底大尺寸化奠定基础。
与此同时，中国在新能源汽车、光伏储能等领域具有全球规模优势，产业链配套能力强，为国产碳化硅提供天然的市场土壤。
新能源汽车仍是基本盘，但 AI 服务器、AR 眼镜、高端封装等新领域增速更快。
8 英寸、12 英寸衬底产能逐步释放，预计 2030 年国产市场份额有望提升至 30% 以上。
大尺寸衬底可提供更高的单位产出与更优的成本结构，良率优化将进一步提升产业竞争力。
碳化硅的兴起不是偶然，而是全球能源转型、制造升级和信息技术革新共同推动的结果。
随着技术成熟与成本下降，碳化硅将在未来 3–5 年迎来更广泛、更深入的应用落地。国产企业正处于关键突破期，未来有望在全球产业链中占据更加重要的地位。
在您看来，碳化硅未来最大的增长点会来自新能源、AI 服务器还是 AR 设备？欢迎交流探讨。
晶沐光电长期致力于高性能碳化硅材料的研发与供应，产品涵盖4H-N, 6H-N, 3C-N 等多种类型，广泛应用于高功率电子器件等领域。我们致力于为全球科研机构与高端制造企业提供高质量碳化硅材料silicon carbide wafer:
尺寸：2~12寸
常规晶型Type:4H-N,4H-HPSI
碳化硅特殊晶型6H-N/4H-P/6H-P/3C-N
碳化硅特殊厚度Special Thinkness：超薄150μm，200μm，250μm，350μm
